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提供從器件研發(fā)到批量生產(chǎn)的全流程裝備解決方案
12寸立式高溫氧化退火爐
滿足12寸晶圓指標(biāo)，用于在硅襯底上形成潔凈、致密的SiO2膜層；應(yīng)用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作為隔離層、緩沖層、掩蔽層、犧牲層等使用。
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立式低溫退火爐
在惰性氣體保護(hù)下實(shí)施精準(zhǔn)熱處理，消除晶圓界面晶格缺陷，優(yōu)化材料電學(xué)特性，著提升器件可靠性與量產(chǎn)良率。
VCSEL濕氧爐
專為VCSEL器件開發(fā)濕氧氧化工藝，構(gòu)建致密光學(xué)限制層與電學(xué)絕緣結(jié)構(gòu)；同步兼容通用晶圓表面鈍化處理，滿足光電與半導(dǎo)體器件的雙重工藝需求。
立式高溫氧化退火爐
用于在硅襯底上形成潔凈、致密的SiO2膜層；應(yīng)用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作為隔離層、緩沖層、掩蔽層、犧牲層等使用。
立式LPCVD
采用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在基片表面生長氮化硅、摻雜多晶硅等功能薄膜，常應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、MEMS、太陽能電池等產(chǎn)品領(lǐng)域。
SiC高溫激活爐
面向碳化硅功率器件定制，通過超高溫退火修復(fù)離子注入晶格損傷并激活摻雜雜質(zhì)，優(yōu)化車規(guī)級器件的電學(xué)性能。
服務(wù)熱線:
地址：長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)普瑞西路858號
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